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國內DRAM龍頭力晶（5346）董事長黃崇仁昨（25）日表示，今年全球DRAM廠將因價格下跌，總計短少70、80億美元的現金收入，且明年全球DRAM廠的位元成長率在50%附近，遠小於今年90%以上，此舉有助業者節制明年產能擴充，有助價格好轉。他並重申，明年3月開始主流規格DDRⅡ512Mb價格開始反彈、朝2美元挺進，最終價格將落在2到2.5美元的區間。

黃崇仁昨天在法說會上表示，DRAM產業生態正在改變，隨著景氣循環速度愈來愈快，產業將出現新一波的淘汰賽。上一波DRAM價格大跌時，日本DRAM大廠幾乎半部陣亡，後來爾必達又東山再起，今年DRAM價格又出現大跌，國內廠商將面臨嚴酸的考驗。

目前國內DRAM廠轉入70奈米製程以力晶、茂德（5387）進度最快，南科（2408）、華亞科（3474）及華邦電（2344）相對落後，未來恐遭逢較大的生產成本競爭壓力。受DRAM價格疲弱不振影響，類股昨天股價持續量縮平盤附近整理，僅華邦電挾轉投資彩晶（6116）題材逆勢漲停作收。

黃崇仁說，力晶明年元月開始，DRAM產出可全數轉入70奈米製程，每片晶圓所產出的DRAM顆粒高達1,416顆，超過國內、外其他DRAM廠300餘顆，明年下半年亦將邁入60奈米製程，在技術、成本上，力晶占有絕對優勢。力晶財務健全，又跨入Flash、晶圓代工領域，產品相當多元化，預料在這波產業不景氣中，將可逆勢勝出。

力晶第三季營收179.18億元，營業利益損失33.85億元，稅前淨損32.44億元，稅後淨損19.02億元，每股稅後淨損0.31元；前三季營業利益損失4,660萬元，稅前淨損5.05億元，稅後純益17.86億元，每股稅後純益0.23元。

黃崇仁說，全球市場一年可消化的位元成長率約在70%到75%，去年各廠均大舉增加產出，導致價格不振，明年在各廠有效節制產出的成長下，預料價格將會好轉。

黃崇仁表示，現階段通路商庫存已經減少，且Vista效應將持續發酵，數位電視、Eee PC等產品也將刺激DRAM需求，加上明年全球DRAM位元成長率不超過50%，廠商轉入70奈米進度不甚順利、降低產出，上述因素均醞釀明年首季DRAM價格即將反彈。

力晶規劃，第四季70奈米投片比重75%，帶動單季位元成長率達20%，明年資本支出暫定300億元，用於投入70奈米製程轉換及購置機器，明年第四季，竹科新廠用地若解決，將視狀況、追加資本支出建廠，預估明年位成長率（含瑞晶一半產出）將逾60%。